的高效深紫外LED，稱為殺手級UV-C紫外光，其波長僅為200至280納米，并且能量高，可以穿透病毒，細菌的膜 ，真菌和塵螨。 攻擊DNA并破壞這些有害生物。
自丹麥教授尼爾斯·芬森（Niels Finsen）發現紫外線可用于治療結核病以來，人類使用紫外線進行滅菌已有100多年的歷史了。 但是，目前使用的深紫外線燈不僅體積大，效率低，而且還含有汞，這對環境有害。
美國康奈爾大學的研究小組最近開發了一種更小且更環保的深層紫外線LED光源，并創下了目前的記錄業界deep-紫外線LED的最低波長。
圖為研究團隊的成員，圖片來源：康奈爾大學
研究人員使用了具有原子級控制界面的氮化鎵（GaN）和氮化鋁（AlN）單層膜作為 反應區并成功發射波長為232至270納米的深紫外LED。 這種232納米的深紫外光創下了使用氮化鎵作為發光材料和最短波長發出的光的記錄。 先前的記錄是日本團隊創造的239nm。
1月27日，“應用單層GaN / AlN量子異質結構的MBE-grown232-270nmdeep-UVLEDs”研究論文發表在“ AppliedPhysics Letters”網站上。
提高UV LED的效率
當前，UV LED的最大瓶頸是發光效率，可以從三個方面進行測量：
1.注入效率：注入反應區域的電子比例 通過設備。
2.內在量子效率（IQE）：反應區內所有電子產生的光子或紫外線的比例。
3.光提取效率：在反應區域中產生的光子比例，這些光子可以從設備中取出并可用。
該論文的作者之一SM（Moudud）Islam博士說：“如果上述三個方面的效率都達到50？僅乘以八分之一，發光效率就下降到 12？“
在深紫外波段，這三個方面的效率都非常低，但是研究小組發現使用氮化鎵代替傳統的鋁氮化鎵可以提高內部量子效率和光輸出效率 。
為了提高注入效率，研究小組采用了先前開發的技術，在正極（電子）和負極（空穴）載流子區域中使用了極化感應摻雜方法。
研究與開發
在成功提高深紫外LED的發光效率之后，研究團隊的下一步是將光源集成到設備中，并朝著上市的目標邁進。 深紫外光的應用領域包括食品保存，假幣識別，光催化劑，水凈化和殺菌等。這是紫外led中的又一步。

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